磁阻效应，1857年科学家将一个铁块放在磁场中，注意到铁块的电阻发生了微弱变化，由此发现了磁阻效应。但直到 100 多年后的 1971 年，才第一次提出了磁阻传感器的概念。，到了1991年，IBM 公司在硬盘驱动器中引入了第一个 MR 头，使用一条磁阻材料来检测位数。此前，MR 传感器只是用于要求不高的价格标签和标记阅读器（只读）及磁带应用中。

  监控温度、压力、张力或流量等属性的传感器会提供与所需参数直接相关的输出信号。另一方面，磁传感器不同于大多数的这类检测器，因为磁传感器通常不是直接测量相关的物理属性，而是检测变化，或者由物体或事件造成或改变的磁场干扰。因此，磁场可能带有与方向、存在状态、旋转、角度或电流等属性相关的信息，而这些信息将由磁传感器转换为电压。少数磁传感器是完全测量磁场，例如指南针中测量地磁场。输出信号需经过一些信号处理以转换为所需参数。显然，磁场分布取决于产生或干扰磁场的物体（即磁体、电流等）或事件的距离和形式。因此，在应用设计中，应始终考虑传感器和产生磁场的物体这两方面的因素，这一点非常重要。尽管磁传感器的使用难度更大，但却能提供精确、可靠的数据，而且无需使用物理连接。

  磁阻传感器基本可分为两个类别。在高磁场应用中，例如施加场的磁场强度高到足以使软磁传感器材料达到饱和（约为 H>10 kA/m）时，传感器中的磁化矢量始终（几乎）平行于施加场。磁阻高磁场传感器的一个常见应用是非接触式角度传感器，例如 KMT32B、KMT36H 或 KMT39 磁阻传感器。在低磁场应用中，磁化矢量主要由带条的形式决定，因为磁化显示了纵向流变的自然偏好。外部磁场导致带条中磁化的 α 扭曲，这在 MR 效应的作用下改变了电阻。此模式中通常会使用线性低磁场传感器。